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5.如图3所示,把导线绕在绝缘圆筒上,做成螺线管,接入电路通电,通电螺线管下端是S极;将滑动变阻器滑片P向b端移动,通电螺线管的磁性逐渐弱(选填“增强”或“减弱”)。

15.(18分)目前,我国正在集中力量开发芯片技术,而离子注人是其中一道重要的工序如图所示是离子注入工作原理示意图,离子经加速后沿水平方向进入速度选择器,然后通过磁分析器,选择出特定比荷的离子,经偏转系统后注人处在水平面内的晶圆(硅片),速度选择器和磁分析器中的匀强磁场的磁感应强度大小均为B,方向均垂直纸面向外;速度选择器和偏转系统中的匀强电场电场强度大小均为E,方向分别为竖直向上和垂直纸面向外.磁分析器截面是内外半径分别为R1和R2的四分之一圆环,其两端中心位置M和N处各有一个小孔;偏转系统中电场的分布区域是一边长为L的正方体,其底面与晶圆所在水平面平行.当偏转系统不加电场时,离子恰好竖直注入到晶圆上的O点.整个系统置于真空中,不计离子重力.求:(1)判断离子的电性和离子通过速度选择器的速度大小v;(2)磁分析器选择出来离子的比荷qm;(3)偏转系统加电场时,离子从偏转系统底面飞出,若晶圆所在的水平面是半径为3L^2R1+R2//R圆面,O点为圆心,为了使偏转粒子能打到晶圆的水平面上,晶圆平面到偏转系统下界面的距离x满足什么条件